半導体製造プロセス概論（前編・後編）　講座紹介

『半導体物性とMOSトランジスタ』（前編）

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【総動画時間】約4時間

半導体（n型、p型）とはどういうものか、またその性質を理解するのに必要なエネルギーバンド図とキャリア（電子・正孔）および固定電荷について学習し応用素子の概要を知り、特に半導体の主要デバイスであるMOSトランジスタの構造と特性について理解するための講座です。

【受講対象・予備知識】
・半導体の基礎知識（半導体物性とMOSトランジスタ）を学びたい⽅。
・⾼校の物理・数学の知識を有する⽅。

【到達目標】
・半導体とはどういうものかを説明できる。
・半導体の主要デバイスであるMOSトランジスタの構造や特性を知る。

【学習環境】
テキスト

【内容】
第０章 イントロダクション

第１章 半導体物性と応用
１．半導体とは？
２．半導体中の電荷
３．エネルギーバンド図
４．キャリアの輸送
５．バイポーラ、モノポーラデバイス
６．半導体の応答とその応用素子

第２章 MOSトランジスタ
１．pn接合
２．金属-半導体接触
３．MOS構造
４．ゲート付きpn接合
５．MOSバイアス状態によるポテンシャル変化
６．MOSトランジスタの電流電圧特性


『半導体製造プロセス』（後編）

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【総動画時間】約5時間

半導体プロセス技術とMOSデバイス構造の変遷を知り、製造プロセスで主要な技術、更にパワーデバイスについての概要を学び、基本となるプレーナ型MOSトランジスタの製造プロセスとその個別プロセス及び要素技術について理解するための講座です。

【受講対象・予備知識】
・半導体の製造プロセスの基礎知識を学びたい⽅。
・⾼校の物理・数学の知識を有する⽅。

【到達目標】
・半導体プロセス技術とMOSデバイス構造の変遷を知る。
・基本となるプレーナ型MOSトランジスタの半導体製造プロセスの全体の流れ、および個別プロセスと要素技術を習得する。

【学習環境】　
テキスト

【内容】
第０章 イントロダクション
第３章 半導体デバイス・プロセス技術概略
１．MOSデバイス、プロセス技術の歴史と現在（前編）
１．MOSデバイス、プロセス技術の歴史と現在（後編）
２．パワーデバイスデバイス、プロセス技術

第４章 半導体の製造プロセス
１．MOSトランジスタ製造工程（プレーナー型MOS）
２．前工程（ウエハプロセス）（前編）
２．前工程（ウエハプロセス）（後編）
３．後工程：個別素子パッケージ、SiP・3次元実装

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