半導体製造プロセス概論（後編）～半導体製造プロセス～
半導体プロセス技術とMOSデバイス構造の変遷を知り、製造プロセスで主要な技術、更にパワーデバイスについての概要を学び、
基本となるプレーナ型MOSトランジスタの製造プロセスとその個別プロセス及び要素技術について理解するための講座です。
本講座は、以下目次の0章、３章、４章の動画を視聴することができます。
１章半導体物性と応用、２章MOSトランジスタにつきましては別講座「半導体製造プロセス概論（前編）」にて視聴できます。
※講座テキストは、「関連ファイルダウンロード」からダウンロードできます（閲覧用パスワード付きPDFファイル）。
パスワードは、同じ場所に掲載の’’パスワード.pdf’’をご確認ください。
なお、ダウンロードした講座テキスト等を第三者に提供、また閲覧させることは禁じられています。
このセットの最終動画を最後まで視聴すると［受験する］ボタンが表示されます。受験の上、合格すると修了証をダウンロードできます。
【総動画時間】 約５時間
【受講対象・予備知識】
・半導体の製造プロセスの基礎知識を学びたい⽅。
・⾼校の物理・数学の知識を有する⽅。
【到達目標】
・半導体プロセス技術とMOSデバイス構造の変遷を知る。
・基本となるプレーナ型MOSトランジスタの半導体製造プロセスの全体の流れ、および個別プロセスと要素技術を習得する。
【学習環境】 ・テキスト
【内容】
第０章 イントロダクション
第３章 半導体デバイス・プロセス技術概略
１．MOSデバイス、プロセス技術の歴史と現在（前編）
１．MOSデバイス、プロセス技術の歴史と現在（後編）
２．パワーデバイスデバイス、プロセス技術
第４章 半導体の製造プロセス
１．MOSトランジスタ製造工程（プレーナー型MOS）
２．前工程（ウエハプロセス）（前編）
２．前工程（ウエハプロセス）（後編）
３．後工程：個別素子パッケージ、SiP・3次元実装
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